Diamant. Joli mot. Jolie pierre. Et qui fait briller les yeux" des

industriels de la microélectronique. Pas pour son esthétique, mais «pour ses extraordinaires qualités physiques», explique Patrick Soukissian. Ce professeur à l'université d'Orsay vient d'obtenir ­ pour la cinquième fois en deux ans! ­ les honneurs de la prestigieuse revue Physical Review Letters (1). Il y révèle la recette de fabrication de «couches parfaites» de diamant, à la surface d'une simple galette de silicium de 10 centimètres de diamètre, du type de celles où sont implantées la plupart des «puces». Si l'informatique est la principale consommatrice de microprocesseurs, ils servent aussi, de plus en plus, dans les moteurs, voitures, avions et machines en tout genre. Avec un grave handicap: la fragilité de la microélectronique au silicium quand elle est soumise à des températures élevées. Un circuit électronique gravé dans du diamant pourrait travailler, lui, à 1 000 °C!

Longtemps, ce rêve a été inaccessible. C'était compter sans Patrick Soukissian et son équipe, qui ont eu l'idée d'utiliser un matériau high-tech, le carbure de silicium, sorte de «millefeuilles» de couches atomiques de silicium et de carbone alternées.

Leur astucieuse recette de cuisson à 1 300 °C ­ contrôlée à l'atome près et validée par huit mois d'analyse aux rayons X d'un synchrotron ­ a transformé la couche supérieure de carbone: «Elle a pris la forme cristalline du diamant», explique le physicien. Elle forme alors un socle sur lequ